创建或修改目录:/www/wwwroot/104.219.215.234/data 失败!
【SDMT-351】処女 三浦あかね 18歳</a>2011-02-05SODクリエイト&$SODクリエイト117分钟 SK海力士来岁量产400层闪存!能让SSD更低廉吗? - 十方兄弟与学生开房

【SDMT-351】処女 三浦あかね 18歳</a>2011-02-05SODクリエイト&$SODクリエイト117分钟 SK海力士来岁量产400层闪存!能让SSD更低廉吗?

发布日期:2024-08-06 05:08    点击次数:74

【SDMT-351】処女 三浦あかね 18歳</a>2011-02-05SODクリエイト&$SODクリエイト117分钟 SK海力士来岁量产400层闪存!能让SSD更低廉吗?

爱色电影

快科技8月4日音讯【SDMT-351】処女 三浦あかね 18歳2011-02-05SODクリエイト&$SODクリエイト117分钟,据报谈,SK海力士正在缔造400层堆叠的NAND闪存,将于2025年参预大规模量产,再次遥遥最先。

为了已毕如斯密集的堆叠,SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、搀杂键合技能,也即是W2W(wafer-to-wafer)结构,将两块晶圆键合在一谈,和当今将闪存单位置于外围最先电路之上的PUC结构截然有异。

这就波及到了纠合不同晶圆的多样材料和技能,包括抛光、蚀刻、千里淀、引线等各个阶段。

其实,这就颇有点长江存储晶栈结构的滋味了。

SK海力士在客岁8月也曾展示了321层堆叠闪存的样品,是第一家作念到300+层的,况且是TLC。

其他厂商方面,三星也曾量产290层闪存,指标是2030年跨越1000层。

好意思光也曾将276层闪存参预实用。

铠侠客岁已毕了218层,示意有望在2027年就达到1000层。

长江存储……不公开,也弗成说。

【本文适度】如需转载请务必注明出处:快科技

职守裁剪:上方文Q

著作本色举报【SDMT-351】処女 三浦あかね 18歳2011-02-05SODクリエイト&$SODクリエイト117分钟



创建或修改目录:/www/wwwroot/104.219.215.234/data 失败!
JzEngine Create File False